![50N322, IGBT-транзистор N-канал 1000В 50А [TO-3P]](/upload/iblock/f6c/f6ce980a9bc01703bfa4d28da3d870f7.jpg "50N322, IGBT-транзистор N-канал 1000В 50А [TO-3P]")
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Uкэ Транзисторы (В) | 1000 |
| Iк Транзисторы (А) | 50 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (В) | 2.2 |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер (В) | 25 |
| Рассеивание мощности (Вт) | 156 |
| Рабочая температура (С) | -55...+150 |
| Файлы |
50N322.pdf |
